SSD学习小结(二)

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SLC、MLC、TLC、QLC

SLC：一个存储单元存储1bit数据

MLC：存储2bit数据

TLC：存储3bit数据

QLC: 存储4bit数据

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上图是一个闪存块（Block）的组织架构。一个Wordline对应着一个或若干个Page，具体是多少取决于是SLC、MLC或者TLC。对SLC来说，一个Wordline对应一个Page; MLC则对应2个Page，这两个Page是一对（Lower Page和UpperPage）; TLC对应3个Page（Lower Page、Upper Page和Extra Page）

一个闪存芯片有若干个DIE（或者叫LUN），每个DIE有若干个Plane，每个Plane有若干个Block，每个Block有若干个Page，每个Page对应着一个Wordline, Wordline由成千上万个存储单元构成。

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LUN、Plane、Block、Page

闪存存在的问题

1、闪存坏块

2、读干扰：当在读取一个闪存页（page）的时候，闪存块当中未被选取的闪存页的控制极都会加一个正电压，以保证未被选中的MOS管是导通的。但是频繁地在一个MOS管控制极加正电压，就可能导致电子被吸进浮栅极，形成轻微写，从而导致比特翻转，如图3-44所示。但是，这不是永久性损伤，重新擦除闪存块还能正常使用。 读干扰影响的是同一个闪存块中的其他闪存页，而非读取的闪存页本身。

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3、写干扰：

写干扰也会导致比特反转， 与读干扰不同的是，写干扰影响的不仅是同一个闪存块当中的其他闪存页，自身闪存页也会受到影响。相同的是，都会因不期望的轻微写导致比特翻转，都会产生非永久性损伤，经擦除后，闪存块还能再次使用。

4、存储单元的耦合：存储单元之间存在耦合电容，这会使存储单元内的电荷发生意外变化，最终导致数据读取错误。

5、电荷泄漏问题：存储在闪存存储单元的电荷，如果长期不使用，会发生电荷泄漏。这同样会导致非永久性损伤，擦除后闪存块还能使用